前三代4G、LTE芯片组解析

    Gobi第一代4G/LTE芯片组MDM9x00提供了全球首款集成的LTE/3G调制解调器，包括MDM9200、MDM9800以及MDM9600芯片组，其中MDM9600是全球首款LTE/3G多模调制解调器，支持UMTS、HSPA+、EV-DO版本B、UMB和LTE，并于2009年推出。所有三款MDM9x00系列芯片组将提供完全的后向兼容能力，支持FDD和TDD双工模式和各种载波带宽，并能够支持高达50Mbps的峰值下行速率和25Mbps的峰值上行速率。

高通Gobi

    高通Gobi第二代LTE芯片包括Gobi MDM9x15调制解调器，支持LTE（FDD和TDD）、HSPA+、双载波HSPA+、CDMA2000 1xEV-DO版本A、版本B和TD-SCDMA。这些芯片组采用28纳米节点技术制造，与上一代LTE解决方案相比，MDM9x15芯片组功耗减少30%，印制电路板面积缩小30%，从而使终端外形更小更薄。与此同时，这款多模芯片组支持LTE TDD与DC-HSDPA网络之间的无缝连接，使终端可以在本地或全球范围内与最高速的3G或4G/LTE网络实现连接，集成MDM9x15的SoC包括骁龙S4 MSM8960等。通过MDM9x15芯片组，移动宽带路由器的作用得到充分发挥，支持最多10部终端通过Wi-Fi共享3G/4G 网络。

    2012年11月高通公司的合作伙伴开始拿到第三代高通Gobi LTE芯片的样品，MDM9225和MDM9625是首批搭载全新LTE和HSPA+调制解调器的芯片，与其前代产品相比运行速度更快，功耗更低。

高通第三代4G LTE调制解调器

    频段不统一是全球LTE终端设计的最大障碍，目前全球共有40余种不同频段。而多模多频是高通推出的LTE芯片的重要优势，其产品支持LTE/3G/2G各种蜂窝通信制式，从而有效推动LTE在全球各地的推出。高通也是首家推出支持载波聚合的LTE-A芯片组的企业。

   Gobi第三代LTE芯片包括Gobi MDM9x25调制解调器，同时支持LTE增强型和HSPA+版本10，这两款芯片组将业界唯一可整合7种不同无线电接入模式的调制解调器集成到了一款单基带芯片上，其中包括：CDMA2000、GSM/EDGE、WCDMA、TD-SCDMA以及LTE。这使得OEM厂商可以设计出能够在全球各地日益多样化的无线电网络上部署和配置的各种移动终端。MDM9x25芯片组是首批支持LTE载波聚合技术的真正LTE Category 4的芯片组，数据传输速率高达150 Mbps。

搭载第三代4G平台的三星S4

    美国高通公司第三代LTE多模芯片组已经开始商用，在第三代平台中同时集成了LTE TDD、FDD以及3G多模。目前正在出货的所有LTE芯片全部支持LTE FDD、TDD和3G多模。值得一提的是高通的第三代产品已经规模性商用，而其他提供商还在推出他们的首款LTE产品。

    在机型方面三星的GalaxyS4 LTE-A采用的骁龙800处理器就继承了高通第三代4G LTE调制解调器，支持LTE-A/WCDMA/GSM，采用LTE载波聚合技术，该技术可将LTE数据传输速率提升1倍，最高达150Mbps。另外高端机型还包括三星Galaxy Note 3、索尼Xperia Z Ultra XL39h、索尼Xperia Z1、LG Optimus G2、宏碁Liquid S2、小米3等。同样在针对中低端大众市场的骁龙400系列MSM8930处理器也集成了MDM9x25调制解调器。